ANAHATA: QUATRIÈME CHAKRA Traditionnellement il n'y a pas de chakra vert pomme. Cependant, si l'on regarde le spectre de l'arc-en-ciel, il est évident que l'on ne peut passer directement de la couleur jaune à la couleur vert forêt sans établir une sorte de pont reliant ces deux couleurs car, la différence de teinte étant trop forte, il manquerait alors une part importante de lumière dans le prisme de l'homme arc-en-ciel. Montre vert pomme de terre. Le chakra vert pomme, qui n'en est pas véritablement un, fait le lien entre le troisième et le quatrième chakra, il fait office de passage entre le bas et le haut et se comporte comme une sorte de porte reliant deux mondes de nature différente. Ce passage est manifesté sur le corps par le diaphragme qui, en plus de créer le mouvement respiratoire, forme une cloison protectrice entre les poumons et le système digestif. Dans la partie frontale du corps humain, la porte d'accès de ce chakra est située sous l'appendice xiphoïde alors que dans le dos elle est située sur la colonne vertébrale, au-dessous de la ligne reliant l'angle inférieur des omoplates.
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2 Courbe C(V) théorique Il existe plusieurs régimes de fonctionnement pour la structure MOS qui dépendent du signe de la tension de grille appliquée, V G. Pour chaque régime, il est possible de modéliser la structure MOS comme un circuit électrique équivalent, dont les composants (résistances, capacités) peuvent être calculés. I. 2. 1 Cas où V G < 0 Quand la tension de polarisation est négative, il s'agit du régime direct: le contact arrière, (aluminium), transmet les charges positives qui traversent le Silicium de type P jusqu'à l'interface Si-isolant (p-Si). Pour qu'il y ait un équilibre des charges, les électrons s'accumulent à l'interface métal-Isolant. De ce fait la structure peut être modélisée comme un condensateur plan de capacité C ox. On associe toujours une résistance au semiconducteur, R Silicium. Le semiconducteur étant dopé de type P, la concentration en trous est supérieure à celle des électrons: p > n: c'est le régime d'accumulation ( Figure 2) où les porteurs majoritaires s'accumulent à l'interface oxyde-semiconducteur.
Il est possible de calculer le nombre d'états d'interface, N SS, à partir de la courbe ( Figure 5). Le maximum correspond à C SS /2. Une autre méthode consiste à comparer les courbes C(V) en haute fréquence (HF) et en quasi-statique (BF) ( Figure 5). C SS /2 C BF HF 1kHz f V G Figure 5: et C(V) en haute fréquence (continu) et en quasi-statique (pointillé) pour une capacité MOS avec substrat p. En fonction du processus de dépôt de l'oxyde sur le semiconducteur, on peut avoir plus ou moins de charges dans l'oxyde. Si ces charges sont positives elles peuvent attirer des électrons du semiconducteur vers l'oxyde. Si on a beaucoup d'électrons à l'interface semiconducteur-oxyde (en régime d'inversion pour MOS avec substrat de type p), il y a une probabilité de transition des électrons du semiconducteur vers les pièges qui sont dans l'oxyde. Cette probabilité dépend de la distance entre les charges et la zone d'interface semiconducteur-isolant, ainsi que de la hauteur de barrière entre les deux états.
La présence d'états d'interface, N SS, localisés entre le semiconducteur et l'isolant introduisent des niveaux d'énergie dans la bande interdite du semiconducteur. Tous les états dont les niveaux sont situés au-dessous du niveau de Fermi du semiconducteur sont pleins et on a donc des charges piégées dans ces états (Q SS). Ces charges interviennent à côté de la charge dans le semiconducteur pour équilibrer la charge sur la grille et elles introduisent une capacité associée à ces charges, C SS, qui est mise en parallèle avec la capacité du semiconducteur. On a besoin d'utiliser des signaux de très basse fréquence (quasi-statique) pour que les états d'interface aient le temps de répondre. Aux fréquences de 10 3 – 10 4 Hz les états d'interface répondent avec retard aux variations du potentiel appliqué et donc on va introduire une résistance R SS, chargeant la capacité C SS. Aux hautes fréquences, les états d'interface ne peuvent pas suivre le signal appliqué et la structure est la même que s'il n'y avait pas d'états d'interface.
II Étude en haute fréquence Si, dans un premier temps, on s'intéresse à la dépendance de la capacité totale du dispositif en fonction de la tension appliquée sur la grille, on peut définir néanmoins deux capacités pour une structure MOS: · la capacité statique, qui est le rapport entre la densité totale de charges dans la structure et la tension appliquée sur la grille. dynamique ou différentielle, qui est la variation de la densité totale de charge sur la variation de la tension appliqué. Les deux capacités ne sont pas les mêmes puisque la charge peut varier non linéairement avec la tension. La capacité la plus importante pour extraire plusieurs paramètres concernant la structure MOS est la capacité différentielle et donc c'est celle à laquelle on s'intéressera. Pour mesurer une capacité différentielle, on impose une tension continue variable, V G, superposée à un petit signal alternatif de fréquence fixée, afin d'étudier le comportement de l'échantillon. D'autre part, la courbe expérimentale en haute fréquence (de l'ordre de 1Mhz) est translatée suivant l'axe des tensions par rapport à la caractéristique idéale d'une quantité V FB, mesurée au niveau de la capacité de bandes plates C FB.